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　　隨半導體集成電路技術的發(fā)展，出現(xiàn)了一批基于集成工藝的光電器件，如光位置傳感器、集成光敏對管和CCD、CMOS圖像器件以及色敏器件等。
　　1、光位置光電開關傳感器是當光照射到硅光敏二極管的某一位置時，結區(qū)產生的空穴向P層漂移，光生電子向N層漂移。到達P層額空穴分成兩部分：一部分沿表面電子R1流向1端形成光電流i1；另一部分沿表面電阻R2流向2端形成光流I2.當電阻層均勻時是不受光強度變化影響。
　　光敏對管為滿足光電檢測中的差動輸出等應用需要，可將兩個光敏電阻對稱布置在同一光敏面上，也可將光敏三極管制成對管形式，構成集成光敏器件。
　　光電池的集成工藝比較簡單，它不僅可制成兩元件對稱布置的形式，而且可制成多個元件的線陣或二維面陣。光敏元件陣列傳感器相對CCD圖像傳感器而言，每個元件都需要相應的輸出電路，故電路較龐大，但是用HgCdTe元件、InSb等制成的線陣和面陣紅外傳感器，在紅外檢測領域中仍獲得較多的應用。